Rich--house.ru

Строительный журнал Rich—house.ru
55 просмотров
Рейтинг статьи
1 звезда2 звезды3 звезды4 звезды5 звезд
Загрузка...

Транзистор КТ815: параметры, цоколёвка и аналоги. 7Гв1 транзистор характеристики

Транзистор КТ815: параметры, цоколёвка и аналоги. 7Гв1 транзистор характеристики

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств «интернета вещей» и «носимых гаджетов»

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький «Кикстартер»

Амбициозная цель компании MediaTek — сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик — порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг «ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!» (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений. который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Популярные материалы

Комментарии

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Светодиод — это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не «ИК светодиод» и «Светодиод инфракрасный», как указано на сайте.

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Корпус:

Uкбо— Максимально допустимое напряжение коллектор-база
Uкбои— Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
Uкэо— Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои— Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
Iкmax— Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iкmax и— Максимально допустимый импульсный ток коллектора
Pкmax— Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода
Pкmax т— Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
h21э— Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Iкбо— Обратный ток коллектора
fгр— граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Uкэн— напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Хорошие транзюки.В блоки питания сую их,пробовал грузить их до 2ампер,держат но не все.Некоторые сгорают.Но на 1.8ампера при радиаторе 350кв.см простоял под нагрузкой 4.5часа,температура 78с°…не сгорел,все о.к.Так что транзюки эти хорошие.

КТ815 параметры

Биполярный транзистор КТ815 часто использовался в советской бытовой технике выпуска 80-х годов прошлого века. Он был предназначен для работы как в ключевых так и в линейных схемах.
У транзистора КТ815 параметры читаются уже в названии:

  • К – кремниевый;
  • Т – транзистор;
  • 8 – мощный, среднечастотный;
  • 15 – номер разработки;
  • А, Б, В, Г – буква определяющая максимальное обратное напряжение.

КТ815 является транзистором с n-p-n структурой. Существует комплементарный транзистор с p-n-p структурой – КТ814, на КТ815 и КТ814 часто строились схемы комплементарного эмиттерного повторителя.

КТ815 цоколевка

КТ815 изготавливался в корпусах для объемного монтажа КТ-27 (по зарубежной классификации ТО-126):

Сейчас также изготавливают КТ815А9, КТ815Б9, КТ815В9, КТ815Г9 в корпусах для поверхностного монтажа КТ-89 (по зарубежной классификации DPAK):

КТ815 параметры сходные для всех модификаций

Таблица с предельно допустимыми электрическими режимами:

ПараметрыОбозначениеЗначение
Напряжение эмиттер — базаUэб max5 В
Постоянный ток коллектораIк max1,5 А
Импульсный ток коллектораIк max3 А
Максимально допустимый постоянный ток базыIб max0,5 А
Рассеиваемая мощность коллектораPк max10 Вт
Температура переходаTпер150 °C

Основные электрические параметры КТ815 при Токр.среды = 25°С

ПаpаметpыОбозначениеРежимы измеpенияMinMaхЕд.измеp
Обратный ток коллектораIкбоUкэ=50 В (А,Б), Uкэ=65 В (В,Г)50мкА
Обратный ток коллектор-эмиттерIкэоRэб ≤ 100 Ом, Uкэ=50 В (А,Б), Uкэ=65 В (В,Г)100мкА
Статический коэффициент передачи токаh21эUкб=2 В, Iэ=0,15 А40,30(Г)275
Напряжение насыщения коллектор-эмиттерUкэ насIк=0,5 А, Iб=50 мА0,6В

Напряжение коллектор — эмиттер Uкэ max (Rэб ≤ 100 Ом)

  • КТ815А, КТ815А9 — 40 В
  • КТ815Б, КТ815Б9 — 50 В
  • КТ815В, КТ815В9 — 70 В
  • КТ815Г, КТ815Г9 — 100 В

Граничное напряжение коллектор — эмиттер Uкэо гр. (Iэ = 50 мА, tи = 0,3-1 мс)

  • КТ815А, КТ815А9 — 30 В
  • КТ815Б, КТ815Б9 — 45 В
  • КТ815В, КТ815В9 — 65 В
  • КТ815Г, КТ815Г9 — 85 В

Маркировка транзисторов КТ815

Первоначально на транзисторы наносилась полная маркировка типа (например КТ815Г), месяц и год выпуска. В дальнейшем оставили только цифру и буквы, например для КТ815Г — 5Г.

Зарубежные прототипы

  • КТ815Б — BD135
  • КТ815В — BD137
  • КТ815Г — BD139

15 thoughts on “ КТ815 параметры ”

Мощным данный транзистор назвать нельзя, не смотря на 8-ку в маркировке. Он ближе к средней мощности, а в мощных схемах используется как предварительный для 819-х и выше. Как основной недостаток, я бы выделил разброс коэффициента усиления, а в некоторых схемах это важно. Почему то не приведена граничная частота, а она тоже не очень высокая. Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования. Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши.

  1. Игорь25.03.2016 в 10:21

Граничная частота КТ815 для схемы с общим эмиттером составляет 3 МГц.
p. s. Как и всех отечественных «чисто гражданских» транзисторов разброс параметров КТ815 очень большой.

  1. admin Автор записи 25.03.2016 в 20:12

Предполагаю, что гражданскими транзисторами «КТ» являлась отбраковка военных транзисторов «2Т». Протестировали кристаллы, те что получше — в металл, похуже в пластик.
Именно из-за такого разброса на заводах была даже такая профессия «регулировщик».

Зарубежные транзисторы тоже разные бывают. Заказывал у китайцев на Алиэкспресс BD139 и BD140, фактически аналоги КТ814 и КТ815. Замучился в пары подбирать по h21э. Чтобы можно было говорить о высокой повторяемости параметров, нужно покупать у западных поставщиков. Но я посмотрел розничные цены на BD139 и BD140 на Mouser Eletronics и мне с них поплохело. За рубежом точно так же для бытовухи транзисторы делаются в Китае, для военных и промышленных нужд в Европе и США. Первые как бог на душу положит, вторые строго по технологии и с тщательным выходным контролем. И в бытовую электронику вторые не попадут никогда, потому как нерентабельно.

  1. admin Автор записи 01.04.2016 в 13:11

На алиэкспрессе можно и на перемаркированные детали попасть. Я покупаю только если есть положительные отзывы. Думаю цены на BD139 и BD140 такие потому что раритет. Если в схеме нужны биполярные на небольшую мощность, я ставлю что-то из серии BCP51 — BCP56.
И в Китае делают хорошую продукцию, но только под контролем американских, европейский, японских или южнокорейских фирм

  1. Greg01.04.2016 в 14:12

Контролировать работу необходимо, причем не только китайских, но и всех узко… вы понимаете. А делать это сейчас очень и очень несложно, не выходя из, скажем AMD-шного офиса, находящегося в Германии почему-то. Все линии автоматизированы, все данные поступают на сервер и могут контролироваться в реальном режиме времени из любой точки мира. К нему-же и видео наблюдение подстегнуто. Смотришь, пошел курить опий, берешь микрофон и, на доступном японамамском, вежливо просишь вернуться назад. Загранкомандировки технологам оплачивать не нужно.

Возможно, что и перемаркировка. Но, когда только сделал характериограф, из любопытства тыкал в него все что под руку попадалось, в том числе и транзисторы с распая корейской аудио-видео аппаратуры. Транзисторы из одного раскуроченного музыкального центра LG имеют близкие параметры, а те же транзисторы из другого МЦ сделанного годом-двумя раньше отличаются от них как небо и земля. Транзисторы из одной партии похожи друг на друга, а вот когда они из разных партий, тут уже возможны варианты…

Читать еще:  Осциллограф своими руками, реально? Да! DSO138, осциллограф-конструктор

Старый, добрый КТ815, именно на нём делал свои первые самоделки, они встречались практически во всей советской аппаратуре. Даже сейчас, если порыться в хламе, штук 10-15 выпаять можно.

Транзистор удобен в практике. Их много почти у каждого в загашнике. Относительно не большой, и мощный, не дорогой. Разной проводимости КТ814 (p-n-p) и КТ815 (n-p-n).

По характеристикам указана предельная температура 150 °C, но на практике сталкивался с выходом из строя в блоках питания КТ815 уже при температуре близкой к 100 °C, возникала холостая проводимость между К-Э. При перегревах выходных каскадов на КТ815 и КТ814 в УМЗЧ иногда происходили необратимые изменения ВАХ, но усилитель продолжал дальше работать с незначительными искажениями. Часто использовал такие транзисторы в схемах стабилизации частоты вращения моторчиков на старых магнитолах, и в коммутации к радиоуправляемым моделям.

  1. admin Автор записи 31.05.2016 в 13:35

Не нашел значения тепловых сопротивлений кристалл — корпус и корпус — охладитель для КТ815, вот для КТ644 (тоже биполярный и в том же корпусе КТ-27): тепловое сопротивление p-n переход – корпус RТп-к = 10°C/Вт, у полевых КП743 в том же корпусе RТп-к = 3,75°C/Вт. Плюс нужно учитывать тепловое сопротивление корпус — охладитель.
Допустим что суммарное тепловое сопротивление кристалл — охладитель 10°C/Вт. Тогда если транзистор будет рассеивать хотя бы 5Вт (а КТ815 может рассеивать до 10Вт), то при температуре охладителя 100°C, температура перехода будет уже 150 °C и кристалл транзистора выйдет из строя.

С этим температурным сопротивлением переход — корпус и корпус очень тонкий момент, вроде транзистор и может рассеивать большую мощность, но пока его не охлаждаешь жидким азотом, то и не может.

Кстати часто такие ошибки в курсовых проектах и даже дипломах встречаются, преподаватели обычно не вникают во всё, а вот на защите может и попасться на глаза.

  1. Greg19.09.2016 в 04:18

А ведь действительно подмечено… 35 лет учись, а дураком помрешь! Спасибо, admin подсказал-уточнил. Специально начал ворошить паспорта старых документов и тю-тю такого параметра. Но, в принципе, интересно только теоретически. Практически не встречал охладителей до температуры кипения. Да и не процессоры они, чтоб им водяное охлаждение ставить… там уже тоже отказались от такой идеи.
А шли 515 как стандартные среднемощные, на пару-тройку ватт. Без нечего или маленькой пластинкой радиатора — 2X3 максимум.

У многих транзисторов есть как при постоянной и так при импульсной работе предельные параметры. Как мощность или ток коллекторы. Объясните при какой частоте или скважности, можно понять что наступил импульсный режим, Если переходный какой то интервал этих параметров. т.е. предельные параметры выше чем при постоянной работе но ниже чем в импульсном режиме.

Транзистор КТ 815 выполнен в пластмассовом корпусе и имеет жесткие выводы. Параметры КТ 815 транзистора.

Транзистор КТ815: параметры, цоколёвка и аналоги. 7Гв1 транзистор характеристики

Биполярный транзистор KT815G — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT815G

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40

KT815G Datasheet (PDF)

5.1. kt815a.pdf Size:211K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor KT815A DESCRIPTION ·High Collector Current-I = 1.5A C ·High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V = 40V(Min) (BR)CEO ·Good Linearity of h FE ·Low Saturation Voltage ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for power amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)

5.3. kt8159.pdf Size:245K _integral

КТ8159 p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный составной транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона). Предназначены для применения в вых

5.4. kt815.pdf Size:225K _integral

КТ815 n-p-n кремниевый биполярный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной а�

5.5. kt8156.pdf Size:209K _integral

КТ8156 n-p-n составной биполярный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные составные биполярные транзисторы (транзисторы Дарлингтона) с интегральными демпфирующим и базо-эмиттерным ускоряющими д

5.6. kt8158.pdf Size:245K _integral

КТ8158 n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный составной транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона). Предназначены для применения в вых

Транзистор КТ815: параметры, цоколевка, аналог, datasheet

Транзистор КТ815 – биполярный, кремневый эпитаксиально-планарный, имеющий структуру n-p-n. Данный транзистор применяется в схемах усилителей низкой частоты (УНЧ), в дифференциальных и операционных усилителях, в импульсных устройствах и различных преобразователей. Транзистор КТ815 выполнен в пластмассовом корпусе и имеет жесткие выводы.

Параметры КТ815 транзистора

  • Uкбо — max разрешенное напряжение коллектор-база
  • Uкбо(и) — max разрешенное напряжение (импульсное) коллектор-база
  • Uкэо — max разрешенное напряжение коллектор-эмиттер
  • Uкэо(и) — max разрешенное напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
  • Iкmax — max разрешенный ток коллектора
  • Iкmax(и) — max разрешенный ток (импульсный) коллектора
  • Pкmax — max разрешенная стабильная рассеиваемая мощность коллектора без радиатора
  • Pкmax т — max разрешенная стабильная рассеиваемая мощность коллектора с радиатором
  • h21э — статический коэффициент передачи тока транзистора КТ815 в схеме с ОЭ (общий эмиттер)
  • Iкбо — обратный ток коллектора
  • fгр — граничная частота h21э в схеме с общим эмиттером
  • Uкэн — напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Габаритные и установочные размеры транзистора КТ815

При монтаже допускается сгибать выводы не ближе 5 миллиметров от самого корпуса транзистора и желательно с радиусом закругления не менее 2 мм. Так же необходимо исключить передачу усилия при сгибании выводов на корпус транзистора.

Производить пайку контактов транзистора следует не ближе 5 мм от корпуса. Температура пайки не более 250 гр. при погружении выводов в припой на период не более 2 сек.

Цоколевка КТ815 транзистора

Ниже представлена цоколевка транзистора КТ815 в корпусе КТ-27 (ТО-126)

Маркировка транзистора КТ815

Согласно маркировке: цифра 5 указывает на тип транзистора (КТ815), буква А – группа, U2 – дата выпуска.

Аналоги транзистора КТ815

Транзистор Кт815 возможно заменить на отечественный аналог: КТ8272, КТ961, либо на его зарубежный аналог: BD135, BD137, BD139, TIP29A

Скачать datasheet КТ815 (213,7 KiB, скачано: 4 808)

Транзистор КТ815 (А)

Исходя из технических характеристик серия биполярных транзисторов КТ815, они изготавливается по эпитаксиально-планарной технологии. В её состав входит несколько групп устройств, в основном отличающихся между собой предельно возможным пропускаемым напряжением между контактами коллектора и эмиттера.

Это кремниевые, низкочастотные устройства большой мощности имеющие n-p-n-структуру. Их можно с уверенностью назвать одними из самых распространенных транзисторов в электротехнике советских времен до 1990 года. Они широко использовались в линейных и ключевых схемах, применялись в устаревших отечественных усилителях (например «Одиссей У-10», «Вега 10У-120»), различных преобразователях и импульсных приборах.

  1. Распиновка
  2. Технические характеристики
  3. Электрические
  4. Комплементарники
  5. Аналоги
  6. Маркировка
  7. Содержание драгметаллов КТ815
  8. Меры безопасности
  9. Производители

Распиновка

Цоколевка для всей серии КТ815 одинаковая. Транзистор широко распространен в пластиковом корпусе для дырочного монтажа — КТ-27 (зарубежный аналог ТО-126). Если смотреть на его цифро-буквенное обозначение, то первая ножка слева — этоэмиттер (Э), вторая – коллектор (К), третья –база (Б). Для крепления к теплоотводу имеется отверстие (3 мм). Масса таких изделий не превышает 1 грамма.

Данный транзистор также встречается для поверхностного монтажа КТ-89 (он же импортный DPAK). В данном решении он имеет следующую распиновку – Б.К.Э. (коллектор сверху). Сейчас это редкость, выпускается исключительно в Белоруссии на предприятиях ОАО «ИНТЕГРАЛ».

Вывод коллектора у данных электронных компонентов, в обоих типах корпусов (КТ-27 и КТ-89), имеет сзади небольшое металлическое основание для соединения с радиатором. Его можно увидеть, если посмотреть на изделие с обратной стороны.

Читать еще:  Абразивные материалы и инструменты (стр. 1 из 3)

Технические характеристики

Технические характеристики транзистора КТ815 зависят от группы, которая обозначается символом в конце маркировки. Рассмотрим первый, самый слабый по своим параметрам, относительно других устройств — КТ815А. Он имеет следующие максимально допустимые режимы эксплуатации:

  • предельно допустимое постоянное напряжение между: К-Э до 40 В (RЭБ ≤ 100 Ом); Э-Б до 5 В;
  • коллекторный ток: постоянный до 1.5 А; импульсный до 3 А;
  • ток базы до 0.5 А;
  • мощность рассеиваемая на коллекторе: до 10 Вт (c теплотводом); до 1 Вт (без отвода тепла);
  • температура p-n-перехода до +150 °C;
  • диапазон рабочих температур вокруг корпуса -60 … +125 °C.

В техническом описании производители не указывают граничную частоту коэффициента передачи тока (fT). В некоторых справочниках для серии КТ815, считающейся низкочастотной, она указана на уровне до 3 МГц.

Другие устройства в серии, отличаются большими напряжениями между выводами К-Э (до 100 В для группы «Г») и немного другими режимами измерений. Подробнее об этом рассмотрено в статьях про КТ815Б, КТ815Г.

Электрические

Основные электрические параметры КТ815А, при температуре окружающей среды до +25 °C (±10 °C), представлены ниже. В отдельном столбце приведены режимы измерения (тестирования в процессе производства).

Обратите внимание на большой диапазон возможных знамений статического коэффициента передачи ток (H21Э от 40 до 275). С таким разбросом достаточно тяжело подобрать комплементарную пару, поэтому многие радиолюбители давно отказались от использования этого транзистора в своих схемах.

Комплементарники

Для каждой из групп КТ815 разработана своя комплиментарная пара, относящаяся к серии отечественных транзисторов — КТ814. По своим свойствам и характеристикам, кроме структуры с p-n-p-проводимостью, она очень похожа на рассмотренный. В паре эти два транзистора часто встречаются в схемах предкаскадов усиления мощности, а также стабилизаторах напряжения для питания небольшой нагрузки.

Аналоги

Качественный аналог для КТ815 подобрать трудно, особенно если он работает по схеме вместе с другим транзистором. В связи с большим разбросом параметров по H21Э и вероятностью брака даже в новых белорусских образцах, его чаще всего меняют на зарубежный BD139. Именно он указан в даташите как импортный прототип. Также в качестве возможной альтернативы можно рассмотреть такие устройства: BD13910STU, BD135, BD137, BD165-BD169(ТО-126), TIP29C(ТО-220), КТ-817.

Маркировка

В последнее время полное наименование КТ815, в корпусе КТ-27, наносится прямо на лицевую часть его пластиковой упаковки. До 2001 г. эта серия выпускалась также с буквенно-цифровой и цветовой маркировкой (серый или сиренево-фиолетового окрас на торце). Кодом «5», в самом её начале, обозначали серию данного транзистора. Далее указывались: группа, год и месяц производства. У устройств для поверхностного монтажа (для КТ89), как отмечалось ранее, в конце наименования присутствует «9» .

Содержание драгметаллов КТ815

Транзисторы содержат в себе виде позолоты на коллекторной части до 0,0043324 грамм золота. Скупщики радиолома стараются приобрести их в любом виде для последующей переработки. Процесс этот достаточно сложный. Однако, в случае успешного проведения аффинажа, некоторые умельцы получают с 1000 штук подобных изделий до 4 грамм этого драгоценного металла.

Меры безопасности

Меры предосторожности при монтаже подобных устройств стандартные и обычно не вызывают вопросов у начинающих радиолюбителей. В техописании указывается на недопустимость давления на корпус при осуществлении изгибов металлических выводов. Пайка разрешена на расстоянии не ближе 5 мм от пластиковой упаковки. Температура припоя должна быть ниже +250 °C, с интервалом теплового воздействия на каждый контакт не превышающем 2 секунд.

Не стоит превышать предельно допустимые эксплуатационные параметры, указанные в техописании, при работе устройства. При длительной эксплуатации на максимальных значениях оно может выйти из строя.

Производители

В настоящее время на российском рынке радиоэлектроники трудно найти КТ815 отечественного производства. Большинство образцов представлено, в основном, белорусскими предприятиями АО «ИНТЕГРАЛ» г. Минск (ссылка на даташит). Такое положение обусловлено не только сокращение его производства в России, но и техническим устареванием самого устройства. И это не удивительно, так как первый выпуск подобных изделий был осуществлен еще в 80-х годах прошлого столетия.

DataSheet

Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.

Транзистор КТ815

Параметры транзистора КТ815

ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначениеЕд. изм.
АналогКТ815АBD165, TIP29, 2N4921, 2N4910 *3 , DTL1651 *1 , 2SD146 *1 , 2SD236 *1
КТ815БBD167, MJE720, 2SC1419 *3 , BD233 *2 , BD813 *3 , BD165
КТ815ВBD169, MJE721, KD235, BD815 *3 , BD167, 2N1481 *1 , 2N1479 *3 , 2N4922 *2 , 2N4911 *3 , 2SD147 *3
КТ815ГBD818, MJE722, 2N1482 *1 , 2N1480 *1 , BD169 *2 , 2N4923, 2N4912 *3 , DT41653 *3
Структураn-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектораPK max,P * K, τ max,P ** K, и maxКТ815А10*Вт
КТ815Б10*
КТ815В10*
КТ815Г10*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттеромfгр, f * h21б, f ** h21э, f *** maxКТ815А≥3МГц
КТ815Б≥3
КТ815В≥3
КТ815Г≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттераUКБО проб., U * КЭR проб., U ** КЭО проб.КТ815А0.1к40*В
КТ815Б0.1к50*
КТ815В0.1к70*
КТ815Г0.1к100*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектораUЭБО проб.,КТ815А5В
КТ815Б5
КТ815В5
КТ815Г5
Максимально допустимый постоянный ток коллектораIK max, I * К , и maxКТ815А1.5(3*)А
КТ815Б1.5(3*)
КТ815В1.5(3*)
КТ815Г1.5(3*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттераIКБО, I * КЭR, I ** КЭOКТ815А40 В≤0.05мА
КТ815Б40 В≤0.05
КТ815В40 В≤0.05
КТ815Г40 В≤0.05
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттеромh21э, h * 21ЭКТ815А2 В; 0.15 А≥40*
КТ815Б2 В; 0.15 А≥40*
КТ815В2 В; 0.15 А≥40*
КТ815Г2 В; 0.15 А≥30*
Емкость коллекторного переходаcк, с * 12эКТ815А5 В≤60пФ
КТ815Б5 В≤60
КТ815В5 В≤60
КТ815Г5 В≤60
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттеромrКЭ нас, r*БЭ нас, К ** у.р.КТ815А≤1.2Ом, дБ
КТ815Б≤1.2
КТ815В≤1.2
КТ815Г≤1.2
Коэффициент шума транзистораКш, r * b, P ** выхКТ815АДб, Ом, Вт
КТ815Б
КТ815В
КТ815Г
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеτк, t*рас, t ** выкл, t *** пк(нс)КТ815Апс
КТ815Б
КТ815В
КТ815Г

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Технические характеристики транзистора КТ815

КТ815 – биполярные транзисторы n-p-n большой мощности (Pк max > 1,5 Вт) низкой частоты (Fгр ≤ 3 МГц). Предназначены для применения в ключевых и линейных схемах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Аналог КТ815

  • Прототип КТ815 Б — BD135
  • Прототип КТ815 В — BD137
  • Прототип КТ815 Г — BD139

Особенности

  • Максимально допустимая температура корпуса — 100 °C
  • Комплиментарная пара – КТ814

Корпусное исполнение

  • пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126)

Цоколевка КТ815 (корпус КТ-27)

Характеристики транзистора КТ815

Предельные параметры КТ815

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IK max):

  • КТ815А, Б, В, Г — 1,5 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (IK, и max):

  • КТ815А, Б, В, Г — 3 А
Читать еще:  Необычный ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ УПОР и Каретка для Циркулярки

Граничное напряжение (UKЭ0 гр):

  • КТ815А — 25 В
  • КТ815Б — 40 В
  • КТ815В — 60 В
  • КТ815Г — 80 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max):

  • КТ815А, Б, В, Г — 5 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (PK max) при температуре корпуса 25° C:

  • КТ815А, Б, В, Г — 10 Вт

Максимально допустимая температура перехода (Тп max):

  • КТ815А, Б, В, Г — 125° C
Значения параметров КТ815 при Тперехода=25 o С

Статический коэффициент передачи тока (h21Э) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (UКЭ) 2 В, при постоянном токе коллектоpа (IК) 0,15 А:

  • КТ815А, Б, В — 40
  • КТ815Г — 30

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (UКЭ нас)

  • КТ815А, Б, В, Г — 0,6 В

Обратный ток коллектоpа (IКБО)

  • КТ815А, Б, В, Г — 0,05 мА

Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)

  • КТ815А, Б, В, Г — 3 МГц

Емкость коллектоpного перехода (CК)

  • КТ815А, Б, В, Г — 60 пф

Емкость эмиттеpного перехода (CЭ)

  • КТ815А, Б, В, Г — 75 пф

Тепловое сопротивление переход-корпус (RТп-к)

  • КТ815А, Б, В, Г — 10° С/Вт

— дополнительная информация.

Транзистор КТ815: параметры, цоколёвка и аналоги. 7Гв1 транзистор характеристики

При подборе аналогов деталей по схемам, всегда возникает вопрос правильного их монтажа на печатной плате. Цоколевка (распиновка) транзисторов. Вот сейчас хочу описать и выложить на одной странице цоколевки (распиновки) всех отечественных транзисторов, чтобы Вас вопрос расположения ножек транзисторов не вводило в заблуждение

2Т709А2, 2Т709Б2, 2Т709В2, 2Т716А1, 2Т716Б1, 2Т716В1, КТ812А, КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ВМ, КТ805ИМ, КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, КТ835А, КТ835Б, КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Л, КТ837М, КТ837Н, КТ837П, КТ837Р, КТ837С, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф КТ858А, КТ859А, КТ812А, КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г, КТ850А, КТ850Б, КТ850В, КТ851А, КТ851Б, КТ851В, КТ852А, КТ852Б, КТ852В, КТ852Г, КТ853А, КТ853Б, КТ853В, КТ853Г, КТ854А, КТ854Б, КТ855А, КТ855Б, КТ855В, КТ857А, КТ863А, КТ899А, КТ8108А, КТ8108Б, КТ8109А, КТ8109Б, КТ8110А, КТ8110Б, КТ8110В, КТ8140А, КТ8116А, КТ8116Б, КТ8116В, КТ8118А, КТ8120А, КТ8121А, КТ8121Б, КТ8123А, КТ8124А, КТ8124Б, КТ8124В КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д, КТ203А, КТ203Б, КТ203В, КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3102Е, КТ3102Ж, КТ3102И, КТ3102К, КТ3108А, КТ3108Б, КТ3108В, КТ3117А, КТ3117Б, КТ3127А, КТ3128А, КТ313А, КТ313Б, КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д, КТ342А, КТ342Б, КТ342В, КТ347А, КТ347Б, КТ347В, КТ349А(исполнение1), КТ349Б(исполнение1), КТ349В(исполнение1), КТ363А, КТ363Б КТ208А, КТ208Б , КТ208В , КТ208Г , КТ208Д , КТ208Е , КТ208Ж , КТ208И , КТ208К , КТ208Л , КТ208М , КТ339А , КТ339Б , КТ339В , КТ339Г , КТ339Д , КТ501А , КТ501Б , КТ501В , КТ501Г , КТ501Д , КТ501Е , КТ501Ж , КТ501И , КТ501К , КТ501Л , КТ501М КТ201АМ, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ, КТ203АМ, КТ203БМ, КТ203ВМ, КТ208А1, КТ208Б1, КТ208В1, КТ208Г1, КТ208Д1, КТ208Е1, КТ208Ж1, КТ208И1, КТ208К1, КТ208Л1, КТ208М1, КТ209А, КТ209Б, КТ209Б1, КТ209В, КТ209В1, КТ209В2, КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е, КТ209Ж, КТ209И, КТ209К, КТ209Л, КТ209М, КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е, КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е, КТ306АМ, КТ306БМ, КТ306ВМ, КТ306ГМ, КТ306ДМ, КТ3102АМ, КТ3102БМ, КТ3102ВМ, КТ3102ГМ, КТ3102ДМ, КТ3102ЕМ, КТ3102ЖМ, КТ3102ИМ, КТ3102КМ, КТ3107А, КТ3107Б, КТ3107В, КТ3107Г, КТ3107Д, КТ3107Е, КТ3107Ж, КТ3107И, КТ3107К, КТ3107Л, КТ3117А1, КТ3126А, КТ3126Б, КТ3128А1, КТ313АМ, КТ313БМ, КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ВМ, КТ316ГМ, КТ316ДМ, КТ349А(исполнение2), КТ349Б(исполнение2), КТ349В(исполнение2), КТ342АМ, КТ342БМ, КТ342ВМ, КТ342ГМ, КТ342ДМ, КТ345А, КТ345Б, КТ345В, КТ350А, КТ351А, КТ351Б, КТ352А, КТ352Б, КТ355АМ, КТ363АМ, КТ363БМ, КТ368АМ, КТ368БМ КТ306А, КТ306Б, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д КТ601АМ, КТ601АМ, КТ602АМ, КТ602БМ, КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г, КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г, КТ816А, КТ816А2, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г, КТ817А, КТ817Б, КТ817Б2, КТ817В, КТ817Г, КТ817Г2, КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, КТ8130А, КТ8130Б, КТ8130В, КТ8131А, КТ8131Б, КТ8131В, КТ940А, КТ940Б, КТ940В, КТ961А, КТ961Б, КТ961В, КТ969А, КТ972А, КТ972Б, КТ973А, КТ973Б, КТ997А, КТ997Б, КТ9115А КТ3101А-2, КТ3115А-2, КТ3115В-2, КТ3115Г-2, КТ3123А-2, КТ3123Б-2, КТ3123В-2, КТ372А, КТ372Б, КТ372В, КТ391А-2, КТ391Б-2, КТ391В-2 КТ3109А, КТ3109Б, КТ3109В КТ312А, КТ312Б, КТ312В, КТ325А, КТ325Б, КТ325В КТ3120А, КТ371А, КТ382А, КТ382АМ, КТ382Б, КТ382БМ КТ3129А-9, КТ3129Б-9, КТ3129В-9, КТ3129Г-9, КТ3129Д-9, КТ3130А-9, КТ3130Б-9, КТ3130В-9, КТ3130Г-9, КТ3130Д-9, КТ3130Е-9, КТ3130Ж-9, КТ3168А-9 КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Г1, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И, КТ315Н, КТ315Р, КТ361А, КТ361Б, КТ361В, КТ361Г, КТ361Г1, КТ361Д, КТ361Е, КТ361Ж, КТ361И, КТ361К КТ3157А, КТ325АМ, КТ325БМ, КТ325ВМ, КТ339АМ КТ368А, КТ368Б, КТ399А, КТ399АМ КТ504А, КТ504Б, КТ504В, КТ505А, КТ505Б, КТ506А, КТ506Б КТ601А КТ602А, КТ602Б, КТ602В, КТ602Г, КТ801А, КТ801Б КТ807А, КТ807Б КТ872А, КТ872Б, КТ872В, КТ8111А, КТ8111Б, КТ8111В, КТ8114А, КТ8114Б, КТ8114В КТ879А, КТ879Б КТ886А1, КТ886Б1, КТ8127А1, КТ8127Б1, КТ8127В1 КТ890А, КТ890Б, КТ890В, КТ896А, КТ896Б, КТ896В, КТ898А, КТ898Б, КТ8101А, КТ8101Б, КТ8102А, КТ8102Б, КТ8106А, КТ8106Б, КТ8117А КТ898А1, КТ898Б1 КТ999А ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В ГТ328А, ГТ328Б, ГТ328В, ГТ346А, ГТ346Б, ГТ346В ГТ906А ГТ905А, ГТ905Б, ГТ906АМ 2Т713А, КТ812Б, КТ812В, 2Т812А, 2Т812Б, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ, 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ, 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В, 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е, КТ710А, КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ, КТ812Б, КТ812В, 2Т812А, 2Т812Б, КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ, 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В, 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е, КТ826А, КТ826Б, КТ826В, КТ827А, КТ827Б, КТ827В, КТ828А, КТ828Б, КТ834А, КТ834Б, КТ834В, КТ838А, КТ839А, КТ840А, КТ840Б, КТ841А, КТ841Б, КТ841В, КТ846А, КТ846Б, КТ846В, КТ847А, КТ848А, КТ8127А, КТ8127Б, КТ8127В, КТ878А, КТ878Б, КТ878В, КТ892А, КТ892Б, КТ892В, КТ897А, КТ897Б, КТ8104А, КТ8105А, КТ8107А, КТ8107Б, КТ8107В, КТ8129А, КТ945А

Если все же у меня получился не полный список цоколевки (распиновки) транзисторов, то прошу это указать в комментариях к данному посту, или если вы заметите какие-либо ошибки, отклонения описания цоколевки (распиновки) транзисторов.

Цоколевка широко распространенных транзисторов

Цоколевка широко распространенных транзисторов и цветовая и кодовая маркировка транзисторов.

Цветовая и кодовая маркировка транзисторов

В цветовой и кодовой маркировке транзисторов нет единых стандартов. Каждый завод, который производит транзисторы, принимает свои цветовые и кодовые обозначения. Вы можете встретить транзисторы одного типа и группы, которые изготовлены разными заводами и маркируются по-разному, или разные транзисторы, которые марки­руются одинаково. В этом случае их можно отличить только по некоторым до­полнительным признакам, таким как длина выводов коллектора и эмиттера или окраска торцевой (противоположной выводам) поверхности транзистора.

Табл. 8.13. Цветовая и кодовая маркировка транзисторов в корпусе КТ-26.

Цветовая маркировка транзисторов осуществляется двумя точками. Тип транзи­стора обозначается на боковой поверхности, а маркировка группы на торцевой (рис. 8.2).

Кодовая маркировка наносится на боковую поверх­ность транзистора (рис. 8.2). Тип транзистора обозначается кодовым знаком (табл. 8.13), а группа — соответствующей буквой. Дата изготовления в соответствии с ГОСТ 26486-82 кодируется двумя буквами или буквой и цифрой (табл. 8.14). Первая буква обознача­ет год выпуска, а следующая за ней цифра или буква — месяц. Кодированное обозначение даты изготовления применяется не только для транзисторов, но и для других радиоэлементов. На рис. 8.3 приведены примеры кодовой и цветовой маркировки транзисторов в корпусе КТ-26.

Транзисторы в корпусе КТ-27 могут маркироваться или буквенно — цифровым кодом (табл. 8.16 и рнс. 8.4) или ко­дом, состоящим из геометриче­ских фигур (рис. 8.4).

Транзисторы в корпусе КТ-27 дополнительно маркиру­ются окрашиванием торца кор­пуса, противоположного выводам: КТ814 — серо — бежевый;

КТ815 — серый нлн снренево — фиолетовый;

КТ816 — розово — красный;

КТ817 — серо — зелёный;

Транзисторы КТ814Б, КТ815Б, КТ816Б и КТ817Б иногда маркируются только окрашиванием торцевой поверхности без нанесения буквенно — цифрового кода.

Примеры маркировки транзисторов в корпусе КТ-13 приведены на рис. 8.6. Буква группы у транзисторов КТ315 наносится сбоку поверхности, а КТ361 — посередине.

Тип транзисторов КПЗОЗ и КП307 в корпусе КТ-1-12 маркируются соот­ветственно цифрами 3 и 7, группа — соответствующей буквой. Транзисторы КП327А маркируются одной белой точкой, а КП327Б — двумя (рис. 8.3).

Ссылка на основную публикацию
ВсеИнструменты
Adblock
detector